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技術文章

功率MOS管的損壞機理介紹

      
 
功率MOS管在介質負載的開關運行斷開時產生的回掃電壓,或者由漏磁電感產生的尖峰電壓超出功率
功率MOS管的漏極額定耐壓并進入擊穿區而以致破壞的模式會引發雪崩破壞。
器件發熱損壞
由超出安全區域引發發熱而以致的。發熱的原由分為直流功率和瞬態功率兩種。
直流功率原由:外加直流功率而以致的耗損引發的發熱
直流功率原由:外加直流功率而以致的耗損引發的發熱

導通電阻RDS(on)耗損(高溫時RDS(on)增大,以致一定電流下,功耗增加)
由漏電流IDSS引發的耗損(和其他耗損相比極?。?/span>
瞬態功率原由:外加單觸發脈沖

負載短路
開關耗損(接通、斷開) *(與溫度和工作頻率是相關的)
內置二極管的trr耗損(上下橋臂短路耗損)(與溫度和工作頻率是相關的)
器件正常運行時不發生的負載短路等引發的過電流,造成瞬時局部發熱而以致破壞。另外,由于熱量不相配或開關頻率太高使芯片不能正常散熱時,持續的發熱使溫度超出溝道溫度以致熱擊穿的破壞。

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