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技術文章

功率MOS管發熱情況

      
 
      1.電路設計的問題,就是讓功率MOS管工作在線性的工作狀態,而不是在開關狀態。這也是以致MOS管發熱的一個原因。如果N-MOS做開關,G級電壓要比電源高幾V,才能完全導通,P-MOS則相反。無完全打開而壓降過大造成功率消耗,等效直流阻抗比較大,壓降增加,因此U*I也增加,損耗就意味著發熱。這是設計電路的*忌諱的錯誤。
      2.頻率太高,主要是有時過分追求體積,以致頻率提高,功率MOS管上的損耗增加了,因此發熱也加大了。
      3.無做好足夠的散熱設計,電流太高,MOS管標稱的電流值,一般需要良好的散熱才能達到。因此ID小于*大電流,也可能發熱嚴重,需要足夠的輔助散熱片。
      4.MOS管的選型有誤,對功率判斷有誤,MOS管內阻無充分考慮,以致開關阻抗增加。

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